三星斥资5000亿韩元，引进ASML顶尖High NA EUV光刻机冲刺2纳米

三星电子近日在其华城园区引入了一项重大技术升级，据韩媒FNnews报道，该公司引进了ASML制造的High NA极紫外光刻（EUV）设备，旨在增强2纳米及以下先进制程技术的竞争力。

ASML所生产的High NA EUV设备，型号为“EXE:5000”，是目前全球唯一能供应此类高端设备的厂商。其价格昂贵，每台高达5000亿韩元（约等于24.88亿元人民币）。该设备通过提升透镜和反射镜的尺寸，成功将数值孔径（NA）从0.33提高至0.55，极大程度上增强了光刻的精确度，成为了制造2纳米及以下芯片不可或缺的关键工具。

与现有的EUV设备相比，High NA EUV设备能够实现更精细的电路线宽，从而有效降低功耗，并提升数据处理速度。自去年起，三星电子已经开始评估该设备在工艺上的应用，并计划将其应用于下一代半导体制造中。

在完成设备安装后，三星电子计划全面构建一个完善的2纳米工艺生态系统。据三星晶圆代工业务部负责人韩镇万表示，尽管公司在环绕栅极（GAA）工艺转换上处于领先地位，但在商业化进程上仍需加速，因此，2纳米工艺的快速量产成为了公司的首要目标。

全球半导体行业的巨头们都在加速引入High-NA EUV设备。其中，英特尔在2023年便率先采购了ASML的首台High-NA EUV设备，并已签订合同购买总计6台。据报道，英特尔的前两台High-NA EUV设备已经投入生产，每季度能够处理3万片晶圆。

据BITS&CHIPS报道，英特尔预计将成为首批获得EXE:5200设备的公司，用于其14A节点的生产。而台积电则计划在2028年启动High-NA EUV设备的量产。