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三星斥资5000亿韩元,引进ASML顶尖High NA EUV光刻机冲刺2纳米

2025-03-13爱酱手游网

三星电子近日在其华城园区引入了一项重大技术升级,据韩媒FNnews报道,该公司引进了ASML制造的High NA极紫外光刻(EUV)设备,旨在增强2纳米及以下先进制程技术的竞争力。

ASML所生产的High NA EUV设备,型号为“EXE:5000”,是目前全球唯一能供应此类高端设备的厂商。其价格昂贵,每台高达5000亿韩元(约等于24.88亿元人民币)。该设备通过提升透镜和反射镜的尺寸,成功将数值孔径(NA)从0.33提高至0.55,极大程度上增强了光刻的精确度,成为了制造2纳米及以下芯片不可或缺的关键工具。

与现有的EUV设备相比,High NA EUV设备能够实现更精细的电路线宽,从而有效降低功耗,并提升数据处理速度。自去年起,三星电子已经开始评估该设备在工艺上的应用,并计划将其应用于下一代半导体制造中。

在完成设备安装后,三星电子计划全面构建一个完善的2纳米工艺生态系统。据三星晶圆代工业务部负责人韩镇万表示,尽管公司在环绕栅极(GAA)工艺转换上处于领先地位,但在商业化进程上仍需加速,因此,2纳米工艺的快速量产成为了公司的首要目标。

全球半导体行业的巨头们都在加速引入High-NA EUV设备。其中,英特尔在2023年便率先采购了ASML的首台High-NA EUV设备,并已签订合同购买总计6台。据报道,英特尔的前两台High-NA EUV设备已经投入生产,每季度能够处理3万片晶圆。

据BITS&CHIPS报道,英特尔预计将成为首批获得EXE:5200设备的公司,用于其14A节点的生产。而台积电则计划在2028年启动High-NA EUV设备的量产。

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